Park Systems Accurion RSE 참조 분광 타원편광분석기 Referenced Spectroscopic Ellipsometer

High-speed referenced spectroscopic ellipsometer — 200 spectra/sec, 100×100 mm mapping in 12 min, 0.1 nm–10 µm thickness range for quality control.

고속 참조 분광 타원편광분석기, 초당 200 스펙트럼, 100×100mm 매핑 12분, 0.1nm~10µm 두께 범위.

Description

The Referenced Spectroscopic Ellipsometer (RSE) is an ellipsometer-based reflectometer, designed for high-speed thickness mapping in quality control. It allows to accurately measure thicknesses ranging from 0.1 nm to 10 µm. With 200 complete spectra recorded per second, a 100 mm × 100 mm area can be investigated in only 12 minutes while acquiring 67,000 spectra.

The RSE combines the high sensitivity of an ellipsometer with the measurement speed of a reflectometer, and even exceeds it. In comparison to a laser ellipsometer, it includes the spectroscopic information between 450 and 900 nm. Essentially, referenced methods are more sensitive than absolute methods — the RSE method is superior to conventional ellipsometry when very thin layers are in focus.

참조 분광 타원편광분석기(RSE)는 품질 관리의 고속 두께 매핑을 위해 설계된 타원편광분석기 기반 반사계입니다. 0.1 nm ~ 10 µm 범위의 두께를 정확히 측정할 수 있으며, 초당 200개의 전체 스펙트럼을 기록하여 100 mm × 100 mm 영역을 12분 만에 67,000개의 스펙트럼을 수집하며 조사할 수 있습니다.

RSE는 타원편광분석기의 높은 감도와 반사계의 측정 속도를 결합하여 이를 뛰어넘습니다. 레이저 타원편광분석기와 비교하여 450~900 nm 사이의 분광 정보를 포함합니다. 기본적으로 참조 방식은 절대 방식보다 더 민감하여, 매우 얇은 층이 초점일 때 RSE 방식이 기존 타원편광분석법보다 우수합니다.

Accurion RSE 참조 분광 타원편광분석기 상세 사진

Accurion RSE — in-house ellipsometric reference system for high-speed film thickness mapping
Accurion RSE — 고속 박막 두께 매핑을 위한 참조 타원편광분석 시스템

Key Features

  • “Single-shot” referenced spectroscopic ellipsometric measurements — No optical components need to be moved or modulated during measurement; full high-resolution spectrum obtained in a single shot.
  • Data rate of 200 spectra per second — 100 mm × 100 mm area investigated in 12 minutes with 67,000 spectra acquired.
  • Live data processing — Look-up table (LUT) fitting enables real-time film thickness evaluation at full data rate.
  • Micro spot measurement — Spot size: 25 × 40 µm at AOI = 60°, enabling localized measurements on small features.
  • Wide film thickness range — Accurately measures from <1 nm to 10 µm.
  • Spectral range 450–900 nm — Spectroscopic information across visible range, essential when multiple layer parameters vary simultaneously.
  • “단일 샷” 참조 분광 타원편광 측정 — 측정 중 광학 부품 이동 또는 변조 불필요. 단일 샷에서 전체 고해상도 스펙트럼 획득.
  • 초당 200 스펙트럼 데이터 속도 — 100 mm × 100 mm 영역을 12분에 67,000개 스펙트럼 수집하며 조사.
  • 실시간 데이터 처리 — 룩업 테이블(LUT) 피팅으로 전체 데이터 속도에서 박막 두께를 실시간으로 평가.
  • 마이크로 스팟 측정 — 스팟 크기: AOI = 60°에서 25 × 40 µm, 소형 피처에 대한 국소 측정 가능.
  • 넓은 박막 두께 범위 — <1 nm ~ 10 µm를 정확히 측정.
  • 450~900 nm 분광 범위 — 가시광선 영역 전반의 분광 정보. 여러 층 파라미터가 동시에 변할 때 필수적.

Applications

웨이퍼 검사
Wafer Inspection
웨이퍼 검사
오염물 검출
Detection of Contaminants
오염물 검출
초박막 두께 측정
Thickness of Ultrathin Films
초박막 두께 측정
층간 두께 측정
Thickness of Interlayer
층간 두께 측정
  • Semiconductor wafer inspection — layer thickness uniformity in quality control
  • Detection of surface contaminants and particles
  • Ultrathin film characterization (<1 nm) — native oxides, SAMs, monolayers
  • Interlayer thickness measurement in multilayer stacks
  • Optical density and refractive index determination (450–900 nm)
  • 반도체 웨이퍼 검사 — 품질 관리의 층 두께 균일성
  • 표면 오염물 및 입자 검출
  • 초박막 특성 분석 (<1 nm) — 자연 산화막, SAM, 단층막
  • 다층 스택에서 층간 두께 측정
  • 광학 밀도 및 굴절률 결정 (450~900 nm)

Specifications

Accurion RSE의 주요 사양입니다. 자세한 사양은 견적 요청 시 안내드립니다.
Parameter Specification
Measurement Speed
Data rate 200 complete spectra per second
Mapping — 100 mm × 100 mm 12 minutes (67,000 spectra)
Measurement mode “Single-shot” (no moving/modulating optical components)
Measurement Range
Film thickness range <1 nm – 10 µm
Spectral range 450 – 900 nm
Spot size 25 × 40 µm (at AOI = 60°)
Data Processing
Fitting method Look-up table (LUT) — real-time live fitting
Output parameters Complex refractive index, film thickness
Stage
XY stage Synchronized motorized XY stage
Method
Ellipsometry type Referenced Spectroscopic Ellipsometry (RSE)
Advantage vs. conventional Higher sensitivity for very thin layers; higher speed than reflectometry